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SiA777EDJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
0.1
T A = 25 °C
DC
Single P u lse
BVDSS Limited
0.01
12
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operatin g Area, Junction-to-Ambient
8
10
6
8
6
4
Package Limited
4
2
2
0
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Deratin g *
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Deratin g
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
10
Document Number: 65371
S09-2032-Rev. A, 05-Oct-09
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